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还在为射频功率放大环节寻找一颗动力强劲、稳定可靠的“心脏”吗？PD20010STR-E正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的LDMOS射频功率晶体管，专为高效放大2GHz频段的信号而优化，能轻松输出高达10W的功率，并带来11dB的优秀增益，让您的无线信号传输得更远、更清晰。

它能在13.6V的电压下高效工作，承载5A的电流，其40V的高耐压设计为您提供了充足的安全余量。采用先进的PowerSO-10RF封装，散热性能卓越，让您在设计高功率密度应用时更加得心应手。选择它，就是为您的通信、测试或射频系统选择了一个经久耐用的性能基石。

• 型号:PD20010STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD20010STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。