我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STU6N62K3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能兼顾高压、高效与高可靠性的“心脏”吗？STU6N62K3 N沟道MOSFET正是为您而来。它基于意法半导体先进的SuperMESH3技术，拥有620V的坚固耐压和仅1.2欧姆的低导通电阻，能显著降低开关电源、电机控制等应用中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效表现更出众。

这颗芯片旨在让您的设计工作更轻松。其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关特性，帮助您提升工作频率，缩小磁性元件体积。高达5.5A的连续电流能力和优异的散热特性，让它在紧凑空间内也能稳定输出强大功率。选择STU6N62K3，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能基石，助您高效实现设计目标，在市场中脱颖而出。

• 型号:STU6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU6N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。