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还在为如何高效、安全地驱动半桥电路中的高压侧开关管而费神吗？L6569D013TR正是您期待的解决方案。这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器芯片，专为驾驭IGBT和N沟道MOSFET而设计，能轻松处理高达600V的电压，并输出强劲的峰值电流，确保您的功率开关动作既迅速又精准。

它内置的两路同步驱动通道，为您构建半桥拓扑提供了即插即用的核心模块。其宽广的工作电压与温度范围，让您的产品能够从容应对各种严苛环境。选择它，意味着您选择了一个经过验证的、能显著提升系统可靠性与效率的驱动核心，让您的电源或电机控制设计事半功倍。

• 型号:L6569D013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6569D013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。