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您正在设计需要高效功率切换的电源或电机控制电路吗？IRF730正是为您而来的解决方案。这颗采用ST意法半导体先进PowerMESH II技术的N沟道MOSFET，拥有400V的高耐压和5.5A的强电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动、DC-AC转换器等应用中的核心开关角色。

它的卓越之处在于，能让您的系统运行得更高效、更凉爽。仅1欧姆的低导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速的开关速度，降低开关损耗。配合其TO-220AB的标准封装和高达100W的功率耗散能力，让您的散热设计更从容，系统可靠性大幅提升。选择IRF730，就是选择了一颗久经考验、能助您轻松实现高性能设计目标的功率核心。

• 型号:IRF730
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:530 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF730，ST（意法半导体）产品一站式供应商。