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想象一下，在您的下一个电源或电机驱动项目中，一颗芯片就能轻松掌控900V的高压，并流畅通过8A的电流，会是怎样的体验？STP9NK90Z正是为此而来。它基于意法半导体先进的SuperMESH技术，专为高效、可靠的功率开关而优化。

这颗N沟道MOSFET能让您的系统在高压下依然保持低损耗运行，其优异的栅极电荷和输入电容特性确保了快速、干净的开关动作，从而提升整体能效。无论是用于提升电源的功率密度，还是增强电机驱动的可靠性，它都能让您的设计更加游刃有余，轻松应对严苛的工业环境挑战。

• 型号:STP9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。