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STGFW80V60F 零件图片(仅供参考)

STGFW80V60F
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STGFW80V60F 规格参数

您正在寻找一颗能扛起中高功率转换重任的“核心引擎”吗?STGFW80V60F正是这样一款利器。它集600V耐压、120A持续电流与240A脉冲电流能力于一身,采用高效的沟槽型场截止IGBT技术,能显著降低您在电机驱动、电源转换等应用中的导通与开关损耗,直接提升系统整体效率。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其低至2.3V的饱和压降意味着更少的热量产生,而优化的开关特性(开启60ns,关断220ns)则让高频运行更加轻松稳定,有效简化您的热管理和电磁兼容设计。凭借-55°C至175°C的宽广工作结温范围及坚固的TO-3PF封装,它确保您的产品在各种严苛环境下都能高效、可靠地持久运行。

  • 型号:STGFW80V60F
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3PF
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3PF
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,80A
  • 功率 - 最大值:79 W
  • 开关能量:1.8mJ(导通),1mJ(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:448 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:60ns/220ns
  • 测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-3PF
  • STGFW80V60F,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGFW80V60F 基本参数:

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