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您正在设计一款高性能的870MHz射频功率放大器吗？PD85006TR-E正是您需要的核心引擎。这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，能为您提供高达17dB的增益和5W的稳定输出功率，让您的前级设计更简洁，系统输出更强劲。

它采用高效的PowerSO-10RF封装，优异的散热设计确保在40V高额定电压和2A电流下持续稳定工作。无论是提升现有设备的发射效率，还是为专业通信设备注入可靠动力，它都能让您轻松实现高效、稳定的射频功率放大，是追求卓越性能设计的明智之选。

• 型号:PD85006TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:2A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:5W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD85006TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。