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还在寻找一颗能“以小博大”的功率控制核心吗？2N6036正是这样一款利器。作为ST意法半导体的PNP达林顿晶体管，它能用微小的输入电流（得益于高达750的hFE增益），轻松驱动高达4A的负载电流，并从容应对80V的高压环境，让您高效控制电机、继电器、加热装置等大功率设备。

这颗芯片集高增益、大电流、高耐压于一身，采用经典的TO-126通孔封装，散热性能优异，工作结温高达150°C，确保在恶劣环境下稳定运行。它让您的功率接口设计变得异常简洁可靠，是提升工业控制、电源管理及自动化设备驱动级性能的经典之选。

• 型号:2N6036
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-32
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 40mA，4A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 2A，3V
• 功率 - 最大值:40 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
• 供应商器件封装:SOT-32
• 2N6036，ST（意法半导体）产品一站式供应商。