我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB70NF3LLT4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

想象一下，一颗芯片就能让您的电源系统运行得更冷静、更高效。STB70NF3LLT4正是这样一款利器。它基于先进的STripFET II技术，为您带来极低的导通电阻（仅9.5毫欧），能显著降低导通损耗，让热量不再是性能的瓶颈，从而轻松提升整体能效。

这颗N沟道MOSFET拥有70A的强大电流处理能力和30V的耐压，是电机驱动、电源转换等高功率应用的理想心脏。其低栅极电荷设计确保了快速的开关速度，让您的系统响应更迅捷。采用可靠的D2PAK封装，散热性能优异，助您构建更紧凑、更可靠的功率解决方案。

• 型号:STB70NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB70NF3LLT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。