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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压开关管吗？STB50N65DM6正是为您而来。这颗基于先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和33A的强大电流能力，其核心价值在于将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的91毫欧，直接为您大幅降低传导损耗，让电源系统运行得更凉爽、更节能。

它通过优化栅极电荷（Qg）和电容参数，显著提升了开关速度，减少了开关过程中的能量浪费。这意味着您能轻松设计出功率密度更高、频率更高的高效电源、电机驱动或逆变器。其坚固的D2PAK封装和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，让您的产品设计无后顾之忧，高效迈向市场。

• 型号:STB50N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB50N65DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。