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您正在寻找一颗能扛起中高功率转换重任的“核心开关”吗？STP7NB60正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和7.2A的强大电流处理能力，专为要求苛刻的开关应用而设计。它采用意法半导体先进的PowerMESH技术，能显著降低导通电阻和栅极电荷，这意味着它能帮助您的电源或电机驱动系统实现更低的能量损耗和更高的工作频率。

具体来说，其1.2欧姆的低导通电阻让电流通过更为顺畅，减少发热；而仅45nC的低栅极电荷则让开关动作干净利落，提升整体响应速度。结合TO-220AB封装出色的散热性能，它能让您的设计轻松应对125W的功率耗散，在高达150°C的结温下稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效、可靠且久经考验的动力保障。

• 型号:STP7NB60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1625 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NB60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。