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您正在寻找一颗能强力、可靠地掌控功率开关的“心脏”吗？TD352ID正是这样一款专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而生的高端栅极驱动器。它能够将微控制器的脆弱逻辑信号，瞬间转换为足以驾驭大功率器件的强劲驱动命令，让您的电机飞速旋转，让您的电源高效转换。

这颗芯片能为您构建一个坚固的驱动桥梁。它提供高达1.7A的拉出电流和1.3A的灌入电流，确保开关管快速导通与关断，大幅减少开关损耗。宽达12V至26V的供电范围，让您在设计时游刃有余。其非反相输入逻辑与您直觉一致，配合优异的抗干扰能力，让系统运行既高效又稳定，轻松应对工业环境的挑战。

• 型号:TD352ID
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• TD352ID，ST（意法半导体）产品一站式供应商。