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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高电流和出色热性能的功率开关吗？STK30N2LLH5正是为此而生。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有25V的耐压和高达30A的连续电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（最低仅2.9毫欧），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用独特的PolarPak表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，还优化了散热路径。其4.5V的低驱动门槛和极低的栅极电荷，让您能够轻松驱动，实现快速开关，进一步提升整体系统频率和动态响应。无论是提升现有设计的能效，还是为新产品注入强劲动力，STK30N2LLH5都能以可靠的性能，助您一臂之力。

• 型号:STK30N2LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
• STK30N2LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。