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还在为高压大电流开关应用寻找一颗“心脏”吗？STY60NM50正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和高达60A的强大电流处理能力，让您轻松驾驭工业电源、电机驱动等高要求场景。

它采用先进的MDmesh技术，导通电阻极低，能显著减少导通损耗，提升系统整体效率。同时，优异的开关性能和MAX247封装带来的出色散热，确保您能构建出更高效、更可靠、更紧凑的电源解决方案，助您的产品在市场中赢得先机。

• 型号:STY60NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:560W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY60NM50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。