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您正在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET吗？STR1P2UH7正是为您而来。它基于先进的STripFET H7技术，拥有20V/1.4A的稳健规格，能以极低的导通电阻（典型值100mΩ）高效控制电流通路，显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换。其SOT-23微型封装为您节省宝贵的电路板空间，而优化的栅极驱动特性让您的设计更容易控制。无论是升级现有产品还是为经典设计寻找可靠备件，STR1P2UH7都能以出色的电气性能和ST品质，助您一臂之力。

• 型号:STR1P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 700mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• STR1P2UH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。