我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STY50N105DK5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压大功率设计的效率瓶颈寻找突破口吗？STY50N105DK5就是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达1050V的电压和44A的电流，让您的电源转换系统在高效与可靠之间达到完美平衡。

它为您带来的核心价值是极致的能效提升。其超低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少导通损耗，而优化的动态参数（如栅极电荷）则确保了快速、干净的开关行为，从而降低开关损耗。这意味着您的系统整体发热更少，效率更高，功率密度得以大幅提升。无论是面对工业驱动、可再生能源转换还是高端电源的挑战，STY50N105DK5都能让您以更小的散热负担，实现更强大的功率输出。

此外，其坚固的MAX247封装和宽广的工作温度范围，为您提供了应对严苛环境挑战的信心。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心，让设计更简单，让性能更出众。

• 型号:STY50N105DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 22A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:175 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY50N105DK5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。