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还在为高压大电流应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STFI26NM60N为您带来改变。这颗采用意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，集600V耐压与20A电流处理能力于一身，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更高效、更可靠。

它凭借低至165毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低开关和导通损耗，直接提升系统整体能效。同时，其坚固的I2PAKFP封装和宽工作温度范围，让您轻松应对高功率密度设计的散热挑战，确保产品在各种严苛环境下长效稳定运行。

• 型号:STFI26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI26NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。