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还在为寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和易驱动性的功率开关而烦恼吗？STL20DNF06LAG正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET能轻松处理高达20A的电流和60V的电压，其逻辑电平门让您可以直接用微控制器驱动，极大简化了您的设计流程。

它专为汽车电子等严苛环境打造，AEC-Q101认证确保了其在极端温度下的稳定表现。低至40毫欧的导通电阻和优化的PowerFLAT封装，让您轻松实现更低的功率损耗和更紧凑的布局，从而打造出更高效、更可靠的下一代产品。

• 型号:STL20DNF06LAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670pF @ 25V
• 功率 - 最大值:75W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL20DNF06LAG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。