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还在为高压大电流开关电路的设计挑战而头疼吗？让STY34NB50来为您分忧！这颗N沟道功率MOSFET，拥有500V的坚固耐压和高达34A的连续电流处理能力，是您构建高效、可靠电源与驱动系统的核心利器。

它采用先进的PowerMESH技术，实现了极低的130毫欧导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速干净的开关性能，让您轻松驾驭电机驱动、工业电源等高要求应用。其通孔封装和强大的散热能力，更为您的设计提供了坚实的可靠性保障。

• 型号:STY34NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:223 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY34NB50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。