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还在为高压开关应用的效率与发热问题烦恼吗？让STU8NM60ND来为您解决！这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，是您提升系统性能的得力助手。它拥有600V的高耐压和7A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等场景的严苛要求。

它的核心价值在于卓越的能效表现。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速、干净的开关动作，从而显著降低整体功耗与发热。这直接让您的产品运行更高效、更凉爽，同时简化您的热管理设计。其坚固的I-PAK封装和宽工作温度范围，更进一步保障了其在各种环境下的长期稳定运行，让您对产品的可靠性充满信心。

• 制造商产品型号：STU8NM60ND
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：FDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：560pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU8NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。