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还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STY105NM50N为您带来颠覆性的解决方案。这颗N沟道MOSFET集500V高耐压与110A大电流于一身，其核心的MDmesh II技术将导通电阻降至惊人的22毫欧，能显著减少开关和传导损耗，直接为您降低系统温升，提升整体能效。

它能让您轻松驾驭工业电源、电机驱动等高要求场景。优异的栅极电荷特性让驱动设计更简单，开关更迅速；而坚固的封装和宽广的工作温度范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行。选择STY105NM50N，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“强芯”。

• 型号:STY105NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 52A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:326 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY105NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。