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还在为复杂的双MOSFET布局烦恼吗？让STS8C5H30L为您化繁为简！这颗集成了N沟道和P沟道MOSFET的阵列芯片，采用先进的STripFET III技术，为您带来高达30V耐压和8A/5.4A的强劲驱动能力。

其逻辑电平门控和超低的导通电阻（仅22毫欧），让您能轻松实现高效的电源开关与电机控制，直接与微处理器连接，大幅简化外围电路。紧凑的8-SOIC封装，助您在节省宝贵PCB空间的同时，构建出更可靠、更高效的系统解决方案。

• 型号:STS8C5H30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，5.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS8C5H30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。