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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STL26N60DM6 N沟道功率MOSFET正是您期待的答案。它基于意法半导体先进的MDmesh DM6技术，为您带来600V/15A的强悍功率处理能力，同时将导通损耗和开关损耗降至新低，让您的电源设计轻松实现更高能效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的高压开关电源、电机驱动或PFC电路运行得更冷静、更高效。其极低的栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速干净的开关动作，显著降低电磁干扰（EMI）。创新的PowerFlat HV封装不仅节省宝贵空间，其卓越的热性能更让您无需担心散热压力，助力打造更紧凑、更可靠的下一代功率产品。

• 型号:STL26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL26N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。