我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STWA88N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计一款需要处理高电压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STWA88N65M5正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和高达84A的电流处理能力，能轻松胜任工业电源、太阳能逆变器、UPS及电机驱动等应用中的核心开关任务。

它的卓越之处在于，通过将导通电阻降至仅29毫欧，显著减少了功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速、干净的开关性能，让您能够设计出更紧凑、更高效的电路。采用坚固的TO-247封装，它提供了出色的散热能力，确保在严苛环境下长期稳定运行，是您提升产品竞争力、实现高性能设计的理想选择。

• 型号:STWA88N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA88N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。