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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STP52P3LLH6正是您期待的答案。这颗来自意法半导体STripFET H6系列的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达52A的连续电流处理能力，专为高效能、高密度应用而优化。

它能让您轻松驾驭同步整流、电机驱动、DC-DC转换等关键任务。其低至4.5V的驱动门槛和优异的导通特性，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。采用经典的TO-220封装，散热性能出众，确保您在高功率应用中也能稳定运行，是您打造高效、可靠电力系统的理想核心器件。

• 型号:STP52P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP52P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。