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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STF8NM60N就是为您破解难题的利器！这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和7A的电流能力，其核心使命就是让您的电源设计更高效、更可靠。它通过极低的导通电阻，大幅削减导通损耗，直接将更多电能高效输送，帮助您轻松提升整机能效。

同时，其优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让您能够设计出更高频率、更小体积的电源方案。无论是面对严苛的工业环境还是追求静音节能的家用电器，STF8NM60N都能凭借其稳定的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，成为您系统中值得信赖的功率开关核心，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STF8NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF8NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。