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还在为高功率应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STWA70N60DM6正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET，基于意法半导体先进的MDmesh DM6技术打造，拥有600V的耐压和高达62A的连续电流处理能力，能轻松胜任电机驱动、UPS和工业电源中的核心开关任务。

它的核心价值在于，让您在驾驭高功率的同时，享受极低的导通损耗。这意味着您的系统运行更高效、发热更少，从而简化散热设计，提升整体可靠性。其坚固的TO-247封装确保了出色的功率耗散能力，为您的高性能设计提供坚实的硬件基础。

• 型号:STWA70N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 62A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA70N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。