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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP75N75F4 N沟道功率MOSFET就是您的答案。它专为高效功率转换而优化，其DeepGATE技术让您在高达78A的电流下，依然能享受低至11毫欧的超低导通电阻，这意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接为您提升系统整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭工业电机驱动、大功率电源等应用。高达75V的耐压和出色的开关特性，确保系统运行稳定可靠。其坚固的TO-220封装和150W的功率处理能力，让您的设计在面对严苛工况时也能从容不迫，大幅提升产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STP75N75F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP75N75F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。