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还在寻找一颗能扛起大功率转换重任的“心脏”吗？STGWT80V60DF正是您理想的答案。这颗600V/120A的IGBT，采用高效的沟槽型场截止技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的变频器、电机驱动或电源系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有高达469W的功率处理能力和卓越的热性能（工作结温高达175°C），确保系统在重载下依然稳定可靠。同时，其快速的开关速度（低开关能量）让您能够设计出频率更高、体积更小的电源方案，轻松提升产品功率密度和整体竞争力。

• 型号:STGWT80V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:1.8mJ（导通），1mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:448 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns
• 测试条件:400V，80A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):60 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT80V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。