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还在为电源系统的效率瓶颈寻找突破吗？STWA68N60M6 N沟道MOSFET正是您期待的答案。它基于ST先进的MDmesh M6技术打造，集600V高耐压、63A大电流与仅41毫欧的超低导通电阻于一身，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和能源效率。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计服务器电源、工业变频器、UPS或光伏逆变器等高压大功率应用时，拥有一个极其可靠和高效的核心开关。其优化的动态性能和栅极电荷，确保了快速干净的开关动作，同时简化您的驱动电路设计。选择它，就是为您的产品注入了强劲、冷静且持久的动力核心。

• 型号:STWA68N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 63A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA68N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。