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还在为高压大电流开关应用寻找一颗可靠、高效的“动力核心”吗？STW18NK60Z正是您期待的答案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V/16A的强悍规格，旨在让您的电源转换和电机驱动设计如虎添翼。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器等高压环境。其优化的低导通电阻（360mΩ）与栅极电荷特性，显著降低了开关损耗和导通损耗，直接提升系统整体能效，同时TO-247封装确保了出色的散热能力，保障长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STW18NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:170 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3540 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。