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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STWA48N60M6正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh M6技术，在600V的电压等级下，实现了惊人的低导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态下更少的能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率，让您的电源或电机驱动设计轻松迈入能效新境界。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够构建更紧凑、更可靠的功率转换系统。其优化的动态特性，如较低的栅极电荷，允许使用更小的驱动器，实现更高频率的开关操作，从而减小磁性元件的体积和成本。无论是面对-55°C到150°C的严苛工作温度，还是需要处理持续的功率耗散，它坚固的TO-247封装和稳健的性能都能让您高枕无忧，专注于实现产品的核心价值。

• 制造商产品型号：STWA48N60M6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 39A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：69毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：57nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2578pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247 长引线
• STWA48N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。