我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL19N60DM2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压功率开关的效率和体积发愁吗？让STL19N60DM2来为您解决！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集600V高耐压、11A大电流和超低导通电阻于一身，专为提升您的电源转换效率而生。

它采用先进的MDmesh DM2技术和紧凑的PowerFlat HV封装，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，其小巧的体型让您轻松实现高功率密度的紧凑设计，无论是工业驱动、电源适配器还是新能源应用，都能游刃有余。

选择它，就是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案，让您轻松应对高压、高效的功率管理挑战，加速产品上市进程。

• 型号:STL19N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL19N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。