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STWA40N60M2 零件图片(仅供参考)

STWA40N60M2
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STWA40N60M2 规格参数

您是否希望为您的电源系统注入一颗强劲而高效的“心脏”?STWA40N60M2正是这样一款能担此重任的N沟道功率MOSFET。它基于先进的MDmesh M2技术,拥有600V的耐压和34A的电流处理能力,专为要求严苛的高压开关应用而生。

这颗芯片能为您做什么?它能显著提升系统的整体效率。其优化的动态特性有助于降低开关损耗,而优异的导通电阻则能减少传导损耗,让您的电源设计在保持高性能的同时,运行得更凉爽、更节能。无论是用于工业电机驱动、UPS还是服务器电源,它都能提供稳定可靠的功率切换,让您轻松应对高功率密度设计的挑战。

选择STWA40N60M2,意味着您选择了一个经过验证的、高效的解决方案。它让您能够构建出更紧凑、更可靠的电源产品,从而在市场竞争中赢得先机。

  • 型号:STWA40N60M2
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247 长引线
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247 长引线
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • STWA40N60M2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STWA40N60M2 基本参数:

  • 电子零件型号:STWA40N60M2
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STWA40N60M2的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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