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STTH8L02DDJFY-TR 零件图片(仅供参考)

STTH8L02DDJFY-TR
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STTH8L02DDJFY-TR 规格参数

还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和节省空间的整流解决方案吗?STTH8L02DDJFY-TR正是您的理想答案。这颗由意法半导体出品的快速恢复二极管阵列,专为应对严苛的汽车与工业环境而优化,能让您的电源设计如虎添翼。

它集成了两个独立的快速恢复二极管,每个都能轻松处理4A的平均电流和200V的高压,其超快的40ns反向恢复时间能显著降低开关损耗,直接提升系统整体能效,并减少热管理压力。1.1V的低正向压降意味着更少的能量浪费,让您的产品运行更“冷静”、更持久。

采用先进的PowerFLAT封装与可润湿侧翼工艺,它不仅体积小巧,适合高密度PCB布局,还确保了卓越的焊接质量和长期可靠性。无论是用于车载充电器、电机驱动还是工业电源,STTH8L02DDJFY-TR都能让您轻松构建出更高效、更紧凑、更值得信赖的电力电子系统。

  • 型号:STTH8L02DDJFY-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat(5x6)双
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY GP 200V 4A POWERFLAT
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:2 个独立式
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):4A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 8 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):40 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 200 V
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerFlat(5x6)双
  • STTH8L02DDJFY-TR,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STTH8L02DDJFY-TR 基本参数:

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