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还在为高压开关应用中的损耗和发热问题烦恼吗？让STF13N60DM2来为您解决！这颗来自意法半导体MDmesh DM2家族的N沟道MOSFET，是专为高效功率转换而生的利器。它拥有600V的耐压和11A的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，直接提升您的系统效率，让能量传递更“纯净”。

得益于优化的动态参数，它能实现快速、干净的开关动作，让您的驱动设计更轻松，同时有效降低电磁干扰（EMI）。无论是构建紧凑的开关电源（SMPS）、驱动电机，还是用于PFC电路，它都能让您游刃有余。其坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热性能，保障器件在高温环境下依然稳定可靠，助您打造出性能卓越且寿命长久的终端产品。

• 型号:STF13N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:365 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:730 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。