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您正在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持高效冷静的功率开关吗？STW9NK95Z正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有950V的惊人耐压和仅1.38欧姆的低导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器设计效率更高，发热更少。

它内置强大的性能基因：高达7A的连续漏极电流和160W的功率处理能力，确保在严苛工况下稳定输出；优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关速度更快，驱动更轻松。无论是应对工业环境的挑战，还是提升消费级产品的能效，STW9NK95Z都能让您的设计脱颖而出，轻松实现更高功率密度和更可靠的系统性能。

• 型号:STW9NK95Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.38 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2256 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW9NK95Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。