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您正在寻找一颗能轻松驾驭3A电流，却只占用电路板角落空间的功率开关吗？STT3P2UH7正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的P沟道MOSFET，凭借其STripFET先进技术，能在仅1.8V的低驱动电压下高效导通，将导通电阻降至极低的100毫欧，显著减少开关损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它将让您的设计化繁为简。无论是用于便携设备的负载开关、电池保护电路，还是作为电源路径管理的关键元件，其SOT-23-6的超小封装都能为您节省宝贵的PCB面积。高达150°C的工作结温确保了在苛刻环境下的稳定表现，让您轻松构建高效、紧凑且可靠的电源管理系统。

• 型号:STT3P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT3P2UH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。