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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STB10LN80K5正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和8A的强大电流处理能力，旨在让您的电源转换和电机驱动设计轻松应对高压挑战。

其核心价值在于卓越的动态性能：极低的栅极电荷和输入电容，配合630毫欧的优异导通电阻，共同实现了超快的开关速度和极低的传导损耗。这意味着它能显著提升系统整体效率，减少热量产生，让您的设备运行更高效、更可靠。无论是面对工业级的严苛环境，还是追求极致的能效表现，STB10LN80K5都能让您的设计游刃有余。

• 型号:STB10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB10LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。