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面对高压电源转换的挑战，您是否渴望一颗既能扛住电压冲击，又能保持冷静高效的“心脏”？STW8NK80Z正是为此而生。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和6.2A的电流处理能力，专为 demanding 应用而设计。

它的核心使命，是让您的设计更轻松、更高效。凭借先进的SuperMESH技术，它在10V驱动下实现了极低的1.5欧姆导通电阻，显著降低了传导损耗，直接将更多电能转化为有效输出，而非浪费在发热上。同时，优化的栅极电荷（仅46nC）确保了快速平滑的开关动作，帮助您提升系统频率、减小元件尺寸并简化驱动设计。

无论是构建更高效的服务器电源、驱动工业电机，还是打造可靠的太阳能逆变器，STW8NK80Z都能以其卓越的热性能（功耗140W）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），为您提供稳定可靠的核心开关解决方案，助您轻松攻克高压高效能的设计难题。

• 型号:STW8NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW8NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。