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还在为电源系统的效率与发热问题烦恼吗？让SCTH35N65G2V-7为您开启高效节能的新篇章。这颗基于先进碳化硅技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和45A的强劲电流能力，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对高频开关应用，大幅提升功率密度。无论是设计紧凑的服务器电源，还是要求严苛的工业电机驱动，SCTH35N65G2V-7都能凭借其卓越的开关特性和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保系统稳定可靠，助您打造出更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:SCTH35N65G2V-7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• SCTH35N65G2V-7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。