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在追求极致效率的电源世界里，您是否正在寻找一颗既能扛起大电流重担，又能保持冷静低调的功率开关？STL110N10F7正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达107A的连续电流能力，其核心魅力在于仅6毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它集成了意法半导体先进的STripFET VII与DeepGATE技术，不仅开关性能出色，栅极驱动需求也更简单。这意味着您可以轻松设计出更快速的开关电路，提升整体电源转换效率，同时其坚固的PowerFlat封装确保了卓越的散热性能和可靠性。选择它，就是为您的电机驱动、电源转换或车载系统注入一颗强劲而高效的核心。

• 型号:STL110N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL110N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。