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您正在设计需要处理高压大电流的电源或电机驱动方案吗？STW88N65M5-4正是为您而来的强大引擎。这颗基于意法半导体先进MDmesh M5技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和高达84A的电流处理能力，能轻松应对工业电源、光伏逆变器、UPS等领域的严苛需求。

它的核心魅力在于极低的导通损耗。在42A电流下，导通电阻仅29毫欧，这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统效率显著提升，散热设计更简单。同时，其TO-247-4L封装集成了开尔文源极引脚，能有效优化开关性能，抑制振荡，让您轻松实现更干净、更快速的开关控制，从而构建出更紧凑、更可靠的下一代电力电子设备。

• 型号:STW88N65M5-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW88N65M5-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。