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您正在设计需要处理高压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STB15NK50ZT4正是为您而来的得力助手。这颗N沟道MOSFET拥有500V的耐压和14A的连续电流能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅340毫欧@7A,10V），能显著减少导通时的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用了先进的SuperMESH技术，优化了开关性能，栅极电荷（Qg）控制出色，这意味着您可以实现更快的开关频率和更低的驱动损耗，从而轻松提升整体电源转换效率。其坚固的D2PAK封装确保了出色的散热性能和机械可靠性，让您的产品在-50°C至150°C的宽温范围内稳定工作，无惧严苛环境挑战。

• 型号:STB15NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB15NK50ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。