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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的功率开关吗？STB95N3LLH6正是为您而来！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，能在30V电压下承载高达80A的连续电流，而其惊人的4.2毫欧超低导通电阻（@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率飙升，发热大幅降低。

它能让您轻松驾驭同步整流、大功率DC-DC转换和电机控制等应用。极低的栅极电荷和快速的开关特性，确保了高效的高频操作，同时其坚固的D2PAK封装和175°C的高结温能力，赋予了它卓越的功率处理能力和可靠性。选择它，就是为您的核心功率电路注入一剂强心针，实现更紧凑、更高效、更稳定的系统设计。

• 型号:STB95N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB95N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。