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您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住开关损耗的功率开关吗？STB40NF10LT4正是为您而来！这颗来自ST意法半导体的100V/40A N沟道MOSFET，凭借其STripFET II技术，能轻松实现低至33毫欧的超低导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它拥有极低的栅极电荷和优化的开关特性，让您能用更简单的驱动电路实现快速、干净的开关动作，有效提升系统整体频率和响应速度。同时，其宽广的工作温度范围和坚固的D2PAK封装，确保了它在严苛的工业或汽车环境下的卓越可靠性与耐久性，是您构建高性能、高可靠性功率系统的理想选择。

• 型号:STB40NF10LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB40NF10LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。