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还在为寻找一颗能兼顾高压、大电流与低损耗的功率开关管而烦恼吗？STW75N60M6正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh M6技术，拥有600V的耐压和高达72A的连续电流能力，而其超低的36毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭苛刻的功率应用。极佳的栅极电荷（106nC）与开关特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，帮助您提升系统整体能效。无论是工业电源、光伏逆变器还是电机控制，STW75N60M6都能提供稳定可靠的性能，其TO-247封装也确保了出色的散热能力，让您的设计更从容，产品竞争力更强。

• 型号:STW75N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW75N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。