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还在寻找一颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性要求的功率开关吗？STSJ100NH3LL正是为您而来的解决方案。这颗采用意法半导体先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达100A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅3.5毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率大幅提升，运行更加凉爽安静。

它能让您轻松应对高功率密度设计的挑战。优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）意味着您可以设计出更高效、响应更快的驱动电路。同时，其坚固的8-SOIC-EP封装提供了卓越的散热性能，确保器件在严苛环境下稳定工作。选择STSJ100NH3LL，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“动力核心”，轻松实现性能飞跃。

• 型号:STSJ100NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC-EP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC-EP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STSJ100NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。