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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的600V功率开关解决方案？STF26N60DM6正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，拥有18A的强劲电流处理能力，其核心价值在于195毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它通过优化的栅极电荷（仅24nC）和开关特性，让您轻松实现更高频率的设计，从而减小磁性元件的体积和系统成本。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子产品的紧凑设计，STF26N60DM6都能以卓越的电气性能和TO-220FP封装的坚固性，确保您产品的稳定与耐用，助您轻松构建更具市场竞争力的高效能平台。

• 型号:STF26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:195 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。