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还在寻找一颗能同时驾驭高压、大电流且高效节能的功率开关吗？STW68N60M6-4正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和高达63A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的41毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更致力于简化您的设计。优化的栅极电荷和开关特性，让驱动变得更轻松，有助于提升系统整体开关频率和功率密度。无论是用于工业电源、UPS还是光伏逆变器，STW68N60M6-4都能帮助您轻松提升能效等级，打造出更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:STW68N60M6-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW68N60M6-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。